صفحه 6 از 6 نخستنخست ... 23456
نمايش نتايج 51 تا 57 از 57

تاپیک: میکروسکوپ های الکترونی SEM و TEM

  1. #51
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    1-1- پراکندگی فونون
    فونون ها کوانتای ارتعاشات اتمی در جسم جامد هستند. یک الکترون اولیه می تواند با تولید یک فونون، انرژی از دست داده و انرژی حرارتی به جسم وارد کند. مقدار افت انرژی در این تفرق (معمولاً کمتر از 1
    eV) و پویش آزاد میانگین برای الکترون ها (معمولاً در محدوده میکرومتر) بسیار کوچک هستند. این حقیقت بدین معناست که تفرق فونون بی اهمیت بوده و قابل اندازه‌گیری نیست. باید به این نکته توجه شود که تمام الکترون هایی که در جسم باقی می مانند احتمال دارد که بعد از اینکه مقادیر بیشتری از انرژی را به روش های دیگر از دست دادند نهایتاً فونون ایجاد کنند. همچنین وقتی تفرق اتفاق می افتد الکترون متفرق شده معمولاً تحت زاویه نسبتاً بزرگی (بیش از 10درجه) منحرف می شود[2].

    2-1- پراکندگی پلاسمون
    پلاسمون یک موج ایجاد شده توسط دریای الکترون‌های باند هدایت فلزات است. در غیرفلزات نیز اثرات مشابهی در الکترون های پیوندهای اتمی به وجود می‌آید. در پراکندگی پلاسمون، پرتو اولیه 5 تا 30 الکترون ولت از دست داده و پویش آزاد میانگین کوچکی (برای اغلب مواد حدود چند صد نانومتر) برای الکترون ثانویه ایجاد می‌کند. این نوع تفرق تفرق، در واکنش الکترون- جسم جامد بسیار اتفاق می افتد.

    3-1- برانگیختگی تک الکترون ظرفیت
    احتمال کمی وجود دارد که یک الکترون اولیه به جای دریای الکترون، مقداری انرژی به یک تک الکترون ظرفیت منتقل کند. پویش آزاد میانگین برای این فرایند بزرگ (در حد میکرومتر) و افت انرژی کوچک (حدود 1 الکترون ولت) و زاویه تفرق هم کوچک است. این فرایند در میکروسکوپ الکترونی اهمیت زیادی ندارد.

    4-1- برانگیختگی مدار داخلی
    یک شکل نادر ولی با ارزش تفرق غیرالاستیک، بیرون کردن یکی از الکترون¬های مدار داخلی است. از آنجا که انرژی پیوند الکترون های مدار K و L بزرگ است، افت انرژی الکترون اولیه هم بسیار بزرگ خواهد بود. به عنوان مثال ،
    69.508 الکترون ولت برای بیرون کردن یک الکترون تنگستن K و 1100 الکترون ولت برای بیرون کردن یک الکترون مس L لازم است[2].




    شکل 1- دیاگرام سطح انرژی یک جامد، شامل لایه L ، و K و باندهای ظرفیت حالات غیر مستقر، EF سطح فرمی و Evac سطح خلاء است[3].


  2. #52
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    2- طیف نگار
    طیف نگار الکترونی بعد از نمونه نصب می شود و معمولاً آخرین قسمت میکروسکوپ را تشکیل می دهد. اصول کار دستگاه این است که از یک میدان مغناطیسی برای انحراف تمام الکترون ها در زاویه حدود 90 درجه استفاده می شود. هرچه انرژی الکترون ها بیشتر باشد میزان انحراف آنها کمتر است. و بنابراین پرتو الکترونی به طیفی از انرژی های مختلف تقسیم می شود.

    دو راه برای آشکارسازی طیف وجود دارد. اگر فقط یک آشکارساز وجود داشته باشد، می توان با تغییر دادن قدرت میدان، طیف را در مقابل شکاف آشکارساز، اسکن نموده و به این ترتیب هر انرژی به نوبت آشکار می-شود. اما با استفاده از آشکارساز حساس به موقعیت می توان تمام طیف را به صورت همزمان آشکار کرد. این را طیف نگار موازی می نامند و این تکنیک به عنوان طیف نگاری موازی افت انرژی الکترون نامیده می شود. اغلب طیف نگارهای اولیه از نوع سری بودند. اگرچه امروزه طیف نگارهای موازی به دلیل راندمان بالا بسیار متداول شده اند. فرض کنید طیفی شامل یک هزار نقطه، شمارش الکترون هایی با یک هزار انرژی متفاوت لازم باشد. یک طیف نگار سری یک هزارم وقت آنالیز را صرف شمارش یک انرژی می کند، در حال که یک طیف نگار موازی تمام انرژی ها را در تمام طول زمان آنالیز می شمارد. بعضی عدم کارایی ها در آشکارساز موازی باعث می شود که مزیت آن کاملاً هزار به یک نباشد ولی به هر حال سیستم های آشکارساز موازی در حال حاضر اکثریت طیف نگارها را تشکیل می دهند[3].



    3-طیف آنالیز کمی
    معمولاً طیف EEL از سه ناحیه تشکیل می شود:

    • الکترون هایی که تفرق غیرالاستیک قابل توجهی ندارند. این الکترون ها که معمولاً اکثریت الکترون ها را تشکیل می‌دهند، پیک صفر را تشکیل می دهند.


    • ناحیه با افت انرژی کم که شامل الکترون هایی است که تا 50eV انرژی از دست داده اند. این ناحیه معمولاً در اثر تفرق پلاسمون پدیدار می‌شود. همچنین ممکن است چند پیک مربوط به افت پلاسمون در طیف وجود داشته باشد. اولین پیک، مربوط به الکترون هایی است که در طی عبور از نمونه یک پلاسمون به وجود آورده اند. این در حالی است که دومین پیک پلاسمون و پیک های بعدی مربوط به الکترون هایی است که دو پلاسمون یا بیشتر را ایجاد کرده‌اند. پیک های پلاسمون چندان برای آنالیز مناسب نیستند.



    • برای مقاصد مشخصه‌یابی مواد، مطالعه لبه های مشخصه در مقادیر بیشتر افت انرژی مفیدتر است. تعداد الکترون‌هایی که لبه‌های مشخصه رامی‌سازد، الکترون‌هایی که انرژی زیادی از دست می دهند، کم است. اما انرژی های لبه های مربوط به تحریک لایه های داخلی، به اندازه پیک های پرتو X مشخصه، عناصر مورد بررسی هستند. این لبه ها هستند که معمولاً برای آنالیز EELS استفاده می شوند.


    • آنالیز کیفی با تعیین انرژی هر لبه قابل مشاهده، معمولاً 2000-100 الکترون ولت، و مقایسه آنها با جداول مربوط به عناصر انجام می شود. شکل 2 قسمتی از طیف EEL نیتریت بور را نشان می‌دهد. در این شکل لبه 188eV از انتقال K مربوط به عنصر بور ناشی می شود. این در حالی است که لبه 399eV مربوط به نیتروژن است.




    شکل 2- قسمتی از طیف EEL از نیتریت بور که لبه های K مربوط به بور و نیتروژن را نشان می دهد.



  3. #53
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    لبه های انرژی EELS و پرتو X مشخصه، به دلیل منشاء مشترک دارای انرژی های تقریبا مشابه هستند. البته اصولاً لبه های انرژی (جذب) EELS باید کمی بالاتر از پیک های (انتشار) پرتوهایX مربوطه باشند. یکی از نقاط قوت EELS آن است که می توان از آن برای آشکارسازی لبه های عناصری که پرتو X نمی توانند آن را آشکار کند (هلیم، لیتیم و بریلیم) استفاده کرد.

    در اصل استنتاج ترکیب شیمیایی یک نمونه از روی طیف EEL انجام می‌پذیرد. اندازه هر لبه با تعداد اتم های آن عنصر در ناحیه آنالیز شده نمونه، متناسب است. اگر بتوان لبه هر عنصر در نمونه را شناسایی و اندازه هر لبه را اندازه گیری نمود، می توان ترکیب شیمیایی نمونه را محاسبه کرد. این اساس آنالیز کمی است اما انجام آنالیز مقداری نیز پیچیده می‌باشد.

    باید ابتدا احتمال اینکه الکترون هایی با انرژی مشخص، یک اتم را تحریک کنند در نظر گرفته شود. این احتمال با استفاده از یک سطح مقطع احتمالی برای تحریک مدار داخلی استنتاج می شود. سطح مقطع لازم برای تحریک یک لایه بخصوص (معمولاً از لایه K به عنوان مثال در نظر گرفته می شود)، به نوع عنصر، محدوده زوایایی که الکترون هایی به درون طیف سنج پذیرفته می شوند β، و محدوده انرژی Δ که در نظر گرفته می شود بستگی دارد. سطح مقطع برای عناصر با عدد اتمی بالا کاهش می یابد. این در حالی است که با افزایش β یا Δ سطح مقطع افزایش می یابد. طیف نگاری با β ثابت، لبه های عناصر سبک را با شدت بسیار بیشتری از عناصر حتی با عدد اتمی متوسط نشان می دهد. از آنجا که لبه های عناصر با جرم اتمی متوسط، بسیار کوچک هستند، تکنیک EELS خصوصاً برای آنالیز عناصر سبک، ابزاری قدرتمند است.

    یکی از محدودیت های عمده آنالیز EELS این است که هر لبه همانند ناحیه با افت انرژی کم، پهن می شود. به عبارت دیگر هر الکترونی که یک مدار داخلی را تحریک می کند، می تواند یک یا چند پلاسمون نیز ایجاد کند. این باعث می شود که لبه در طیف حاصله در افت انرژی بالاتری ظاهر شود و در نتیجه شکل ایده آل لبه از دست می رود و پهن شود. با ضخیم تر شدن نمونه این اثر شدیدتر می شود. تیزترین لبه ها توسط نواحی بسیار نازک نمونه تولید می شوند. اما معمولاً آنالیز مناطقی که آنقدر نازک باشند که پلاسمون های کمی را ایجاد کند عملی نیست. همچنین در این موارد سیگنال ( یعنی تعداد شمارش های طیف) بسیار کوچک و صحت آماری هم بسیار پایین است. بنابراین در اغلب موارد آنالیز، باید شرایط بهینه ای بین قدرت و سیگنال و عدم وضوح لبه، برقرار شود.

    مثالی از آنالیز EELS در شکل3 از الماس، گرافیت و C60 نشان داده شده است. این مواد از نظر ترکیب شیمیایی تنها از کربن ساخته شده اند و به دلیل وجود کربن در ساختار آنها، همگی آنها با پیک های جذبی در حدود
    248eV در EELS مشخص شده‌اند. از آنالیز شکل پیک های جذب، اختلاف پیوند و وضعیت الکترونی آنها می تواند آشکار شود[2].


    شکل 3-مقایسه پیک های جذب (EELS) الماس، گرافیت و C60 .



    4- اطلاعات مورد استفاده از روش EELS:
    1-4-آنالیز ترکیب عنصری
    2-4- اطلاعات در مورد پیوندهای شیمیایی
    3-4- پراکندگی اتم های مجاور
    4-4- ضخامت بلور
    5-4- اطلاعات مربوط به ظرفیت
    6-4- تابع دی الکتریک کمپلکس

    5- معایب روش EELS:
    1-5- همراه با دستگاه TEM ساخته می شود بنابراین تکنیک پرهزینه ای است که با تخریب نمونه نیز همراه است.
    2-5- آمادهسازی نمونه خیلی وقت گیر است.
    3-5- ابعاد نمونه کوچک می باشد.
    4-5- گرچه EELS قادر به استخراج اطلاعات به کمک انرژی می باشد اما تفکیک مکانی آن توسط دستگاه TEM محدود می شود[2].

    نتیجه‌گیری:
    طیف نگاری الکترونی افت انرژی به عنوان تکنیکی با کیفیت بالا محسوب می شود که برای آنالیز نمونه های نازک مورد استفاده قرار می گیرد. از این تکنیک جهت دستیابی به اطلاعاتی نظیر آنالیز ترکیب عنصری، پیوندهای شیمیایی، پراکندگی اتم های مجاور، ضخامت بلور، ظرفیت اتم و تابع دی الکتریک کمپلکس استفاده می‌گردد.

  4. #54
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض تعیین اندازه ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری

    امروزه پیشرفت های موثری در سنتز نانوذرات حاصل شده است که به دلیل پیشرفت در روش مطالعه آنها می باشد. یکی از مواردی که در مطالعه نانوذرات نقش اساسی ایفا می‌کند، تعیین اندازه آن‌ها می‌باشد. استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری( TEM) یکی از روشهای موثر در تعیین اندازه ذرات می باشدکه می تواند اطلاعات کمی و کیفی مفیدی را در اختیار ما قرار دهد. TEM روشی است که قابلیت تصویر برداری مستقیم از ذرات تا اندازه یک اتم را ایجاد می کند و این مزیت تصویر مستقیم باید درکار با میکروسکوپ در نظر گرفته شود. در مقاله حاضر به برخی از این موارد پرداخته خواهد شد. برای تعیین خاصیت ذرات نیز تعیین نوع دقیق تصویر زمینه روشن یا زمینه تاریک، بزرگنمایی و روش آنالیز(دستی یا اتوماتیک) بسیار مهم می باشد. این پارامترها در میزان وضوح تصویر و کنتراست بین ذرات و زمینه، تعداد ذرات در هر تصویر، و در نتیجه آنالیز نهایی ذرات موثر می باشد.



  5. #55
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    2- تصویربرداری از نانوذرات
    برای آنالیز ذرات تکنیک های تصویر برداری متعددی مورد استفاده قرار می گیرد که این تکنیک ها شامل تصویربرداری زمینه روشن Bright field تصویربرداری زمینه تاریک Dark field و تصویربرداری تفکیک فازی Phase Contrast Imaging می باشد. حال به مطالعه هر یک از این تکنیک ها می پردازیم.
    قبل از این که به بحث در مورد روش های تشکیل تصویر بپردازیم باید به این نکته اشاره کرد که به دلیل نقص اجتناب ناپذیر در ساخت لنزهای الکترومغناطیس، بیشتر میکروسکوپ‌های TEM مرسوم دارای انحراف aberration در لنزها، که باعث نقصان در وضوح تصویر می شود، است. این نقصها شامل انحراف کروی، انحراف کرومانیک و انحراف آستیگمات می باشد. شدیدترین نوع انحراف کروی می‌باشد که باعث عدم استقرار یا عدم توانایی برای تعریف مکان نقاط تصویر می‌شود که در این صورت نقاط به صورت دیسکی لکه دار مشاهده می شوند. این عدم استقرار یا لکه دار شدن تصاویر، باعث محدودیت در وضوح تصویر و قابلیت تفسیر تصویر می شود. جهت کاهش میزان انحراف باید تکنیک‌های خاصی را مورد استفاده قرار داد که خود بحث مفصلی را می طلبد.
    2-1- تصویر برداری زمینه روشن
    در تصویر برداری زمینه روشن از بیم الکترونی که از الکترونهای پراشیده مستقیم Direct Electron Beam تشکیل شده است، استفاده می شود. این بیم الکترونی به صورت غیر الاستیک پراکنده شده و مسیر آن موازی بیم تابیده شده است و در حقیقت شامل الکترونهایی است که از نمونه عبور کرده اند. تصویر زمینه روشن را عموما میتوان با الحاق روزنه شیئی aperture تشکیل داد. این روزنه باید به اندازه کافی کوچک باشدتا فقط اجازه عبور بیم الکترونی مستقیم را دهد. در تشکیل تصویر زمینه روشن می توان کنتراست بین زمینه و نمونه را با تغییر پارامترهای زیر افزایش داد:

    • افزایش ضخامت نمونه


    • افزایش چگالی ماده در ضخامت ثابت


    • کریستالی بودن نمونه در جهتی که قانون براگ برقرار است

    برای ذرات کوچکتر از 2 نانومتر ، تمام مکانیزم های پراکندگی منیمم می باشد و کنتراست بین زمینه (که معمولا فیلمی از کربن آمورف است) و نانوذرات محدود می باشد و این به دلیل محدودیت تعداد مراکز پراکندگی ذرات نسبت به تعداد مراکز پراکندگی در زمینه می باشد. برای اینکه الکترون های پراشیده شده به دامنه کنتراست قابل بررسی تبدیل کنیم، باید بیم مستقیم یا بیم پراشیده شده در ناحیه پراش انتخاب شده selected area diffraction pattern را انتخاب کرده تا تصویر زمینه روشن یا تصویر زمینه تاریک به ترتیب تشکیل شود. باید به خاطر داشته باشیم اگر بدون روزنه تصویر را تشکیل دهیم، کنتراست کاهش می یابد و این به دلیل تعداد زیاد بیم‌های الکترونی است که در تشکیل تصویر شرکت می کنند. علاوه بر این انحراف الکترون های خارج از محور، تشکیل تصویر را غیر ممکن می‌سازد. دقت در انتخاب اندازه روزنه، شرکت الکترون ها در تشکیل تصویر را کنترل کرده و در نتیجه کنتراست قابل کنترل می‌گردد.

  6. #56
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    2-2- تصویر برداری به روش تفکیک فازی
    تصویر برداری به روش تفکیک فازی مشابه روش زمینه روشن می باشد. ولی استفاده از روزنه شیئی بزرگ یا برداشتن کلی روزنه در این روش به کار می‌رود تا هم پرتوهای الکترونی مستقیم و هم پرتوهای الکترونی پراشیده شده براگ برای تولید تصویر بکار رود. همانطور که ذکر شد چندین نوع پرتوهای الکترونی در تشکیل تصویر استفاده می شود. روزنه بزرگ این اجازه را می دهد تا بیم پراکنده شده بیشتری در تشکیل تصویر شرکت کرده در نتیجه وضوح تصویر بیشتر شود. شکل 1 تصاویر تفکیک فازی از ذرات طلا بر روی گریدی از کربن آمورف را در بزرگنمایی مختلف نشان می دهد.




    شکل 1- تصاویر ذرات طلا در بزرگنمایی های متفاوت

    Angle Annular Dark Field یا تصویر برداری با کانتراست در جهت z z-contrast معروف می باشد. شکل 2 مثالی از کنتراست افزایش یافته بوسیله روش HAADF، از ذرات پلاتین بر روی کربن، نشان داده شده است.




    شکل 2- تصاویر کنتراست فازی ذرات پلاتین بر روی کربن، با در نظر گرفتن تصاویر از سمت چپ به سمت راست، ذرات پلاتین که حرکت کرده و به هم می پیوندند. این پدیده به دلیل انرژی است که توسط بیم الکترونی ایجاد می گردد.



  7. #57
    همکار مدیر مهندسی شیمی آواتار P O U R I A
    رشته
    مهندسی شیمی
    تاريخ عضويت
    2011/10
    امتیاز
    24532
    پست ها
    20,787

    پيش فرض

    در ادامه باید به این نکته اشاره شود که یکی دیگر از پارامترهایی که می تواند در افزایش کنتراست بین ذرات و زمینه نقش اساسی ایفا کند، ولتاژ شتاب دهنده می باشد. این موضوع در مورد عناصر سنگین تر از Z>30 دارای اهمیت بیشتری است. با افزایش ولتاژ احتمال پراکندگی کاهش می یابد که این اثر در مورد عناصر سبکتر محسوس تر می باشد. بنابراین با استفاده ازولتاژ شتاب دهنده بالا، کنتراست بالایی بین Pt و کربن حاصل می گردد که این موضوع به دلیل تقلیل یافتن پراکندگی از کربن در مقایسه با Pt می باشد. باید توجه داشت با بالا بردن ولتاژ شتاب دهنده، امکان آسیب دیدن نمونه با بیم الکترونی پر قدرت نیز بالا می رود. امروزه میکروسکوپ های الکترونی با ولتاژ 80 تا 300 کیلوالکترون ولت اداره می شوند. در بیشتر میکروسکوپ ها بزرگنمایی نشان داده شده صوری بوده و لازم و ضروری است که بزرگنمایی به طور مناسبی برای هر مد اداره با استفاده از نمونه استاندارد کالیبره شود. این کالیبره کردن به طور تناوبی توصیه می شود. مشکل دیگر تصویر برداری در بزرگنمایی بالا این است که چه تعداد ذره باید در هر تصویر وجود داشته باشد. این موضوع معمولا توسط اپراتور دستگاه تعیین می شود. با تعداد کمتری ذره در حوزه دید می توان توجه را معطوف یک ذره در مقابل ذرات دیگر نمود. معمولا با تصویر برداری در بزرگنمایی بالا و هم در بزرگنمایی پایین اطلاعات بیشتری را در اختیار ما قرار می گیرد. یکی دیگر از مشکلات مطالعه ذرات وقتی سایز ذرات کاهش می یابد، این است که در زیر بیم الکترونی نانو ذرات پایدار کمتری دارند. این ناپایداری ذرات شامل حرکت ذرات، نوسان ساختار، تجزیه و بهم چسبیدن ذرات می باشد. شکل 2 تصاویر کنتراست فازی پشت سر هم ذرات ناپایدار در زیربیم الکترونی را نشان می دهد. مطابق شکل مشخص است که ذرات چطور با گذشت زمان بهم می چسبند. برای مطالعه ناپایداری ذرات کافی است تصاویر پشت سر هم از نظر زمانی ثبت شود در این صورت تغییرات فیزیکی، ساختاری، مکانی به راحتی قابل مشاهده می باشد. شدت بالای پرتوهای الکترونی در تصاویر HRTEM باعث تغییر در ساختار و آسیب در موارد مطالعه می گردد. در حالت کلی شرایط تشکیل تصویر باید به نحوی انتخاب شود که تعداد مناسبی از ذرات در هر تصویر وجود داشته باشد ولی باید وضوح تصویر به گونه مناسبی انتخاب شود تا عدم قطعیت در اندازه گیری به کمترین مقدار خود برسد. هچنین باید به پایداری ذرات و آسیبی که بیم الکترونی در نمونه بوجود می آورد توجه داشت تا آنالیز درستی از اندازه ذرات و ترکیبات آن بدست آید.


    تا به اکنون در مورد استراتژی های مختلف در انتخاب تصویر مطالبی ارائه شد. اکنون فرض می کنیم که تصویری در اختیار ما قرار دارد، حالا زمان آن رسیده است که تصویر تحت عملیات های ریاضی قرار گیرد. در این جا فرض ما براین است که TEM به دقت کالیبره شده و کاملا فوکوس باشد تا مقادیر اعوجاج لنزی و موانع دیگر به حداقل میزان خود رسیده باشد. عملیات ریاضی بر روی تصویر می تواند به صورت دستی، و یا اینکه با نرم افزار و به صورت کاملا اتوماتیک انجام شود. آنالیز دستی را می توان از طریق اندازه گیری مستقیم تصویر کالیبره شده انجام داد. این در حالی است که در روش اتوماتیک به کمک نرم افزارهای پردازش تصویر که آرایه ای از ابزارهای اندازه گیری را در اختیار ما قرار می دهند، می توان به صورت اتوماتیک تصاویر را آنالیز نمود.

    3- آینده TEM برای آنالیز اندازه ذرات
    آینده تعیین اندازه ذرات بوسیله میکروسکوپ TEM تقریبا تضمین شده می باشد. میکروسکوپ هایی با انحراف تصحیح شده (Aberration Corrected ) افزایش یافته است. برای هر میکروسکوپ های TEM و STEM که در ولتاژ Kev200 کار می کنند تا سال 2006، وضوح تصویر در حدود یک انگستروم در هر دو مد DF و BF گزارش شده است. حتی گزارش هایی وجود دارد که وضوح تصویر برای میکروسکوپ الکترونی Kev300 به نیم انگستروم هم می رسد.

    4- نتیجه گیری
    میکروسکوپ الکترونی عبوری روشی است که برای مشاهده مستقیم ریز ساختارها تا اندازه اتمی بکار می رود. آنالیز کیفی مناسب نانو ذرات نیازمند بهینه سازی انتخاب روش های مختلف تصویر برداری، بزرگنمایی و روش آنالیز دستی یا اتوماتیک می باشد که هدف آن بهینه سازی وضوح تصویر و کنتراست بین ذرات نمونه و تعداد مناسب ذرات در هر تصویر، در حالیکه کمترین آسیب به نمونه برسد، می باشد. در بزرگنمایی های پایین تصویر، امکان مطالعه توزیع ذرات وجود دارد، حال آنکه در بزرگنمایی بالا تعداد زیادی از ذرات مشاهده نمی شود و فقط اطلاعاتی در زمینه جهت‌گیری صفحات و ساختار در اختیار ما قرار می گیرد. در ضمن در بزرگنمایی بالا جریان الکترونی بالا موجب ناپایداری و آسیب دیدن ساختار مورد مطالعه می شود.


صفحه 6 از 6 نخستنخست ... 23456

تاپیک های مشابه

  1. میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM
    توسط فاطمه کیوانیان در تالار ساخت و تولید
    پاسخ ها: 7
    آخرین ارسال: 2013/8/08, 02:36 PM
  2. میکروسکوپ الکترونی :sem - tem
    توسط atro2013 در تالار مهندسی مواد و متالورژی
    پاسخ ها: 1
    آخرین ارسال: 2013/8/04, 12:01 AM
  3. پاسخ ها: 0
    آخرین ارسال: 2012/9/23, 01:24 PM
  4. لنز سه بعدی برای میکروسکوپ های مینیاتوری طراحی شد
    توسط پارسیک در تالار اخبار فناوری
    پاسخ ها: 0
    آخرین ارسال: 2011/3/24, 12:13 AM
  5. پاسخ ها: 0
    آخرین ارسال: 2011/1/23, 09:23 PM

عبارت‌های مرتبط

روند گرفتن عکس sem از خاک

تفاوت میکروسکوپ sem و tem

نقص کروی در میکروسکوپ الکترونی

روش منجمد کردن وسایه دهی در میکروسکوپ

میکروسکوپ انتقال الکترونی

ساختار و عملکرد میکروسکوپ الکترونی

پراکندگی فونون

آنالیز های نانوالیاف

ثبت اين صفحه

ثبت اين صفحه

قوانين ارسال

  • شما نمی‌توانيد تاپيک جديد ارسال كنيد
  • شما نمی‌توانيد پاسخ ارسال كنيد
  • شما نمی‌توانید فایل ضمیمه ارسال كنيد
  • شما نمی‌توانيدنوشته‌های خود را ويرايش كنيد
  •